HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙

XBM内存已经不是难M内I内第一次露出苗头了，Intel指出当前HBM内存面临的存换存墙技术挑战，HBM6，个方

总的向突来说，而是难M内I内Intel换了个方向开辟高性能内存之路，现在把它做到后端金属层中，存换存墙希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的个方内存墙问题，在当前的向突HBM内存中Intel话语权不高，但在技术研发下一直没拉下，难M内I内这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。存换存墙就算40年前退出了内存生产，个方XBM不太可能直接取代HBM内存，向突

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，存换存墙

这篇专利申请没有提到XBM内存的个方具体指标，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。

Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。但该技术面向的至少是2030年之后的市场，

Intel是内存技术起价的，面积效率越来越低，现在说技术好不好还太早，但HBM同样面临着技术限制，容量，

最终做出来的XBM内存面积效率高，布线复杂，未来难以为继。这一轮内存大涨价归因于AI需求，

7月6日消息，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、功耗更低，届时会有HBM5、等过几年有产品了再看。结合里面提到的参数来推测，一个电容（1T1C）、单论技术指标应该不占优势了。各种技术标准都少不了Intel的推动，后端动态随机存取存储器（DRAM）。2024年12月26日申请的，功耗越来越高，公开时间是今年7月2日。面积效率大增，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、包括面积被TSV侵占，

根据这个专利，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。