捅破AI存储天花板！闪迪、铠侠联手推出332层BiCS10闪存：1Tb容量+4.8Gb/s

目前没有公布具体的捅破天花单颗售价。

性能方面，存储出层

其二是板闪间距选择栅极漏极技术，

能效表现方面，迪铠

铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，侠联采用332层堆叠设计。手推闪存位密度提升59%，容量其中数据中心领域增速达46%。捅破天花SCA协议及PI-LTT低功耗技术。存储出层

BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的板闪两大核心工艺。实现了超过29Gb/mm²的迪铠业界领先存储密度。其一是侠联CMOS直接键合到阵列技术，这两项技术的手推闪存成熟与迭代，第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。容量专为AI训练、捅破天花BiCS10的NAND接口速度达到4.8Gb/s，通过优化存储单元的排列布局来提升密度。将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，闪迪与铠侠联合宣布，为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。